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지난 1월 D램 가격은 지난해 9월 이후 처음으로 3달러대로 진입하며

슈퍼사이클 진입 기대감을 높여왔지만 다만 서버용 D램 가격은 상승한 모습이었습니다.

32GB 서버 D램은 이번 달 평균 가격이 119.00달러로 전월보다 3.48% 상승했습니다.

16GB 서버 D램 가격은 평균 68달러로 전월보다 1.49% 올랐습니다.

클라우드 업체들이 구매하는 서버용 D램은 가격 상승이 돋보였습니다.

클라우드 업체들이 서버용 d램을 구매하는 이유 중 가장 큰 요인으로는

클라우드 업체들이 서버 D램 재고 소진 및 공급 부족 현상이 심화되면서 구매에 적극 나섰기 때문입니다.

지난달 D램 가격이 보합이었습니다.

서버용 D램 가격은 상승 전환되며 향후 전반적인 가격 상승을 이끌 것으로 기대되고 있는데요.

DDR4 8기가비트(Gb) D램 제품의 고정거래가격은 평균 3달러로 전월과 비교해 가격 변동은 없었습니다.

낸드플래시 가격은 4.20달러로 4개월째 보합 가격을 보이고 있습니다.

 

 

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d램 반도체 슈퍼 사이클

5G 확대 및 서버용 반도체 수요가 지속 확대되고 있습니다.

신종 코로나바이러스 감염증 코로나19 사태 초기에 줄었던 IT 기기 수요는 회복세를 보이고 있습니다.

향후 서버 D램 가격의 인상을 전망하면서 구매하기 시작했습니다.

많은 PC 업체들도 다가오는 성수기 대비, 부품 재고를 축적 해가고 있습니다.

또한 노트북 시장 또한 강세를 보이고 있습니다.

 

클라우드업체들의 투자도 많이 이루어지고 있는데요.

페이스북과 아마존 등은 데이터센터를 추가 설립할 계획입니다.

올해 2분기 서버용 D램 가격은 1분기보다 10~15% 오를 것으로 전망되고 있습니다.

 

서버 D램의 고객사 재고가 감소 추세를 보이고 있고 낸드플래시는

지난해 노트북, 태블릿과 클라우드 업체의 서버 증설 등으로 매출이 24% 증가했는데요.

올해도 매출이 증가할 예정입니다.

전체 반도체 시장 성장률도  5∼6%포인트 높게 예측되고 있습니다.

현재 또는 단기적으로 반도체 품귀 현상이 심화되고 있고 이는 가격상승을 이끌어 낼 수 있는 점입니다.

반도체 품귀현상, 텍사스 한파와 일본 지진

슈퍼사이클이 도래함에 따라

반도체 품귀현상이 나타나고 있지만

이번에 미국에서 발생한 기록적인 한파, 일본 지진으로

반도체 기업들이 공장 가동이 원활치 않은 이유로 지목됩니다.

텍사스의 NXP(네덜란드), 인피니언(독일) 등 차량용 반도체 업체들의 공장은

가동 중단된 이후 아직까지 재가동에 나서지 못하고 있습니다.

일본에서는 지진 여파로 르네사스(일본)도 셧다운 상태입니다.

NXP·인피니언·르네사스는 세계 1~3위 차량용 반도체 업체입니다.

 

 

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이런 이유로 최근 D램 가격도 상승했습니다.

PC용 D램(DDR4 8기가비트) 제품의 현물 평균가는

지난달 25일 4.35 달러 수준으로 올랐고 이번달 1일에는 4.37달러입니다.

D램 현물가가 4달러를 돌파한 것은 작년 대비 50% 넘게 오른 수치입니다.

 

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D램 가격 상승이 점쳐지면서 국내 반도체 업계도 1분기 실적 개선이 될 것입니다.

지난 4분기 삼성전자와 SK하이닉스는 많은 수요에도 불구하고

D램 가격 하락 및 달러 약세 등으로 매출이 크게 오르지 못했는데 이번 슈퍼사이클을 맞아

d램 단가가 올라가며 실적 증가가 예상됩니다.

낸드플래시, d램 차이 비교

낸드플래시가 구조적으로 디램과 구분되는 가장 큰 차이점은 게이트(Gate)가 2개라는 점입니다.

MOS형 트랜지스터(Tr)는 소스(Source), 드레인(Drain), 게이트 총 3개의 단자로 구성되는데

그중 게이트 단자가 1개이면 디램, 2개이면 낸드플래시가 됩니다.

낸드플래시의 추가된 게이트 단자는 부유 게이트, 즉 플로팅 게이트(Floating Gate)라고 부르는데

이는 모든 입체 영역으로부터 절연층으로 분리된 상태로 마치 섬처럼 부유하고 있다고 하여 붙여진 이름입니다.

이 플로팅 게이트를 통해 낸드플래시는 읽고 쓰고 저장하는 모든 동작에서 디램과 에스램(SRAM)보다

특성을 지니게 됩니다.

가장 핵심적인 특징이 데이터를 원하는 일정기간 저장할 수 있는 비휘발성 데이터의 저장 능력입니다.

이러한 장점을 갖기 위해서는 동작 속도 등 디바이스 특성에서 희생을 감수하고, 또 재질과 공정방법 및 설계 등에서 보완해야 한다는 단점이 있습니다.

때문에 구조적으로 볼 때,

디램은 스위칭 역할을 하는 Tr 1개와 Tr 밖에 별도로 데이터를 저장하는 capacitor 캐패시터 1개를 둡니다.

낸드플래시는 스위칭 역할을 하는 트랜지스터 속에 데이터 저장 기능을 갖는 플로팅 게이트를 같이 내포하고 있어서 MOS Tr 1개만으로 메모리로서 해야 할 여러 가지 기능을 수행합니다.

낸드플래시는 Top gate와 Bottom gate가 있어 총 2개 게이트가 있습니다.

 

 

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